Aprisa

L4-aprisa-offer-image-640x480.jpg

Aprisa это платформа автоматического размещения и трассировки цифровых ИС, которая охватывает как верхний иерархический уровень проекта, так и физическую реализацию отдельных блоков сложных цифровых ИС. Ядром технологии Aprisa является оптимизированная архитектура детальной трассировки и единая иерархическая база данных, специально разработанные для проектов с технологическими нормами 28 нм и ниже. Используя самые последние достижения в области технологии физического проектирования ИС, Aprisa обеспечивает быструю и качественную - по критериям производительность, потребляемая мощность, площадь кристалла, надежность - реализацию проектов сложных цифровых ИС.

Детализированная архитектура с фокусом на трассировку

По мере продвижения проектов в область 16 нм и ниже сопротивление проводников и переходных отверстий становится фактором, который оказывает решающее влияние на производительность ИС. Задержки сигнала в межсоединениях и другие факторы необходимо тщательно учитывать именно на этапе трассировки. В связи с этим необходимо иметь механизм учета данных параметров в течение всего процесса трассировки.

Архитектура Aprisa включает единую оперативную модель данных, которая используется на всем протяжении процесса размещения и трассировки, обеспечивая оперативный обмен данными между такими этапами, как оптимизация размещения, оптимизация дерева синхросигнала, детальная конечная трассировка и др. Точное соответствие модели данных конкретному этапу и моменту времени процесса трассировки позволяет повысить качество результатов, уменьшить число итераций и ускорить процесс трассировки в 2 и более раза по сравнению с аналогичными системами других поставщиков.

Сертификация ведущих фабрик

Платформа Aprisa полностью сертифицирована ведущими фабриками, включая TSMC, для продвинутых технологических норм вплоть до 7 нм. В процессе сертификации в Aprisa были апробированы и сертифицированы новые технологии, не имеющие аналогов в мире. Эти технологии, обеспечивают достижение высоких результатов по критериям производительности, потребляемой мощности и площади кристалла при одновременном сокращении цикла проектирования и быстром выходе на рынок.

Скачать описание продукта